发明名称 |
制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器 |
摘要 |
本发明提供了一种制作MEMS惯性传感器的方法及MEMS惯性传感器,包括步骤:在半导体基底上淀积第一碳层作为牺牲层;图案化第一碳层,形成固定锚栓,惯性锚栓和底部密封环;形成固定锚栓中的接触插塞和惯性锚栓中的接触插塞;在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓上形成第一固定电极、惯性电极以及与惯性电极相连的连接电极,所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容;在所述第一固定电极和惯性电极上形成第二碳层作为覆盖层;在所述第二碳层和顶部密封环上形成顶盖层。本发明的惯性传感器在惯性力的作用下只有惯性电极移动,固定电极不会移动和震动,从而提高了惯性传感器的精确度。 |
申请公布号 |
CN103373698B |
申请公布日期 |
2015.09.16 |
申请号 |
CN201210126539.2 |
申请日期 |
2012.04.26 |
申请人 |
张家港丽恒光微电子科技有限公司 |
发明人 |
王志玮;唐德明;张镭;毛剑宏;韩凤芹 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G01D5/241(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 |
代理人 |
孙高 |
主权项 |
一种制作MEMS惯性传感器的方法,其特征在于,包括步骤:提供半导体基底,包括其上的第一介质层及嵌在第一介质层顶部的底部感应互连焊垫和底部参考互连焊垫;在第一介质层上淀积第一碳层作为牺牲层;图案化第一碳层,在第一碳层中形成若干开口;在第一碳层上淀积第二介质层,利用化学机械研磨去除第一碳层上的第二介质层,剩余所述开口中的第二介质层,形成固定锚栓,惯性锚栓和底部密封环;对固定锚栓和惯性锚栓进行选择性刻蚀,在其中形成分别暴露底部感应互连焊垫和底部参考互连焊垫的连接孔;利用导电材料填充所述连接孔形成接触插塞,在所述第一碳层和固定锚栓、惯性锚栓和接触插塞上淀积导电材料层;选择性刻蚀所述导电材料层,形成第一固定电极、惯性电极及与惯性电极相连的连接电极,所述第一固定电极和惯性电极构成一对电容,连接电极起到对惯性电极支撑的作用,其中第一固定电极位于所述固定锚栓的上方,并连接固定锚栓,至少一个第一固定电极通过固定锚栓中的接触插塞与底部感应互连焊垫电性互连,连接电极与惯性锚栓连接,并通过惯性锚栓中的接触插塞与底部参考互连焊垫电性互连;在底部密封环上方形成MEMS外围支撑体,与之连接;在所述第一固定电极、惯性电极、连接电极和MEMS外围支撑体上形成第二碳层作为覆盖层,并在所述第二碳层外围的MEMS外围支撑体上形成顶部密封环;在所述第二碳层和顶部密封环上形成密封顶盖层,刻蚀密封顶盖层形成孔洞;利用所述孔洞去除第一碳层和第二碳层;填充所述孔洞。 |
地址 |
215613 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村 |