发明名称 一种具有双重作用电极的发光二极管及其制作方法
摘要 本发明提供了一种具有双重作用电极的发光二极管,包括衬底、衬底正面依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层,进一步包括一正面P型电极、一正面N型电极以及一背面与侧面电极,所述正面P型电极设置在P型半导体衬底表面,正面N型电极设置在N型半导体衬底表面,所述背面与侧面电极包裹衬底的背面和侧面,且与N型半导体层的侧面以及正面N型电极接触,以起到扩展发光二极管电流的效果。本发明的优点在于可有效提高芯片亮度降低芯片电压改善芯片性能。
申请公布号 CN103390709B 申请公布日期 2015.09.16
申请号 CN201310316602.3 申请日期 2013.07.25
申请人 圆融光电科技有限公司 发明人 徐琦;康建;郑远志;陈向东;李晓莹
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 孙佳胤
主权项  一种具有双重作用电极的发光二极管的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:在一衬底的正面依次生长N型半导体层、有源层和P型半导体层;刻蚀露出部分N型半导体层;在N型半导体层表面形成正面N型电极、并在P型半导体层表面形成正面P型电极;在衬底正面形成覆盖层,所述覆盖层覆盖正面P型电极和正面N型电极,但暴露出正面N型电极的至少一侧面;划片形成分立发光二极管;在分立发光二极管表面形成包覆层,所述包覆层覆盖分立发光二极管侧面以及衬底的背面; 除去覆盖层,从而形成包裹衬底的背面和侧面,且与N型半导体层的侧面以及正面N型电极接触的背面与侧面电极,以起到扩展发光二极管电流的效果。
地址 243000 安徽省马鞍山市经济技术开发区宝庆路399号1栋