一种MOCVD外延粗化P型GaN表面方法

摘要

本发明提供一种MOCVD外延粗化P型GaN表面方法。其包括以下步骤：在蓝宝石衬底上生长非故意掺杂GaN层，然后再生长厚的P型GaN层I，厚度为200-250nm；接着停止通入Ga源，通入硅烷，SiH₄流量为12sccm-24sccm，硅烷和氨气摩尔比1.86x10^-4-3.75x10^-3,反应室温度为950℃-980℃，持续时间为1.5-2.5分钟。最后再生长P型GaN层II，厚度为100-150nm。本发明沉积纳米层SiN粗化P型GaN表面，其成功取决于纳米层SiN的沉积条件，控制再生长的P型GaN层合并，获得粗化的表面。本发明通过MOCVD在线外延手段对GaN表面进行粗化，避免了LED器件制备为提高光的提取效率在外延结束后采取复杂的刻蚀工艺，既节约了时间又降低了生产成本。

主权项

一种MOCVD外延粗化P型GaN表面方法，其特征在于包括以下步骤：在非故意掺杂GaN层上生长P型GaN层I，P型GaN层厚度为200‑250nm；接着停止通入Ga源，切换通入Si源硅烷，SiH₄流量为12sccm‑24sccm，反应室温度950‑980℃，持续时间为1.5‑2.5分钟，硅烷和氨气摩尔比1.86x10^‑4‑3.75x10^‑3；停止通入Si源，切换再通入Ga和Mg源，生长P型GaN层II，厚度为100‑150nm；整个过程中都有氢气和N源氨气。