霍尔效应增强电容耦合电浆源、减轻系统、及真空处理系统;HALL EFFECT ENHANCED CAPACITIVELY COUPLED PLASMA SOURCE, AN ABATEMENT SYSTEM, AND VACUUM PROCESSING SYSTEM

摘要

本文中揭示之实施例包括减轻系统，该减轻系统用于减轻在半导体制程中产生之化合物。减轻系统包括电浆源，该电浆源具有第一板件及平行于第一板件之第二板件。电极安置于第一板件与第二板件之间，且外壁安置于第一板件与第二板件之间，该外壁环绕该电极。电浆源具有安置于第一板件上之第一复数个磁体，及安置于第二板件上之第二复数个磁体。由第一及第二复数个磁体产生之磁场大体上垂直于在电极与外壁之间产生之电场。在此配置中，产生密集电浆。