碳化矽薄膜的制造方法;METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE THIN FILM

摘要

本发明提供一种碳化矽薄膜的制造方法，其包含步骤：(a)利用机械帮浦将腔体内压力抽至底压；(b)利用一微波产生器以1200瓦至1400瓦的功率产生微波，使该腔体内形成微波电浆；(c)在不对置于该腔体内的一基板额外加热的情况下，待该微波电浆使该基板升温，而该基板之温度持稳于400℃至500℃时，将作为前驱物之含氯矽基化合物及/或含氯分子导入该腔体中，以在该基板上沉积形成立方晶系之碳化矽薄膜。本发明以微波电浆化学气相沉积法能够在低温下成长具结晶性的碳化矽薄膜。; (b) utilizing a microwave generator to generate microwaves at 1200 to 1400 W to form a microwave plasma inside the chamber; (c) when the microwave plasma rises the temperature of a substrate disposed in the chamber such that the temperature of the substrate reaches 400 to 500℃