| 发明名称 | 晶片处理装置以及晶片的处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供晶片处理装置以及晶片的处理方法，能够在不增大装置面积的情况下高效地照射紫外线。作为晶片处理装置的清洗装置(1)具有清洗干燥单元，该清洗干燥单元对保持晶片(W)的保持台(20)以及保持于保持台(20)上的晶片(W)的正面(WS)进行清洗并干燥。保持台(20)具有保持部件(21)和紫外线照射部(23)。保持部件(21)具有保持面(21a)且通过可透过紫外线(U)的材质形成，其中该保持面(21a)形成有多个吸附保持晶片(W)的背面(WR)的吸附孔(24)以保持整个背面(WR)。紫外线照射部(23)配设于保持部件(21)的保持面(21a)的相反侧。 | ||
| 申请公布号 | CN104916567A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
| 申请号 | CN201510105224.3 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 铃木稔 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/67(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;金玲 |
| 主权项 | 一种晶片处理装置，其具有：保持台，其保持晶片的背面侧，且能够进行旋转；以及清洗干燥单元，其对保持于该保持台上的晶片的正面进行清洗并干燥，该保持台具有：保持部件，其由使紫外线透过的材质形成，且具有保持面，在该保持面上形成有吸附保持晶片的背面的吸附部，来保持整个背面；以及紫外线照射部，其配设于该保持部件的保持面的相反侧。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||