发明名称 | 栅极氧化层的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种栅极氧化层的制备方法,该方法通过去除部分STI表面的部分材料使得AA区的侧面露出于STI的表面,进而在AA区和STI交界处形成由AA区侧面和STI表面构成的夹角,随后在AA区生长的栅极氧化层的过程中,栅极氧化层在AA区与STI的交界处同时沿AA区的侧面和STI的表面向外生长,进而填充STI的表面和AA区的侧面之间的空间,从而提高了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层的厚度,减小了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层与AA区表面生长的栅极氧化层的厚度差异,消除了现有技术中所存在的凹陷结构,提高了AA区和STI交界处所生长的栅极氧化层的击穿电压,避免HV GOI Vramp的失败。 | ||
申请公布号 | CN104916532A | 申请公布日期 | 2015.09.16 |
申请号 | CN201410084501.2 | 申请日期 | 2014.03.10 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗鹏程;董天化;朱赛亚;杜海;王亮 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
主权项 | 一种栅极氧化层的制备方法,包括:提供形成栅极氧化层之前的衬底,所述衬底中形成有STI,在STI之间的衬底区域为AA区,在所述AA区的表面和STI的表面覆盖一牺牲氧化层;去除所述牺牲氧化层,并去除所述STI表面的部分材料,以使得所述STI的上表面低于所述AA区的上表面;在去除所述STI表面部分材料后所露出的AA区的侧面以及所述AA区的上表面,生长第一氧化层;去除所述第一氧化层,并进一步去除所述STI表面的部分材料;在所述AA区的上表面和侧面以及靠近所述AA区的STI表面生长栅极氧化层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |