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<p>방법은 SRAM 셀의 일부 위에 유전체 층을 형성하는 것을 포함한다. SRAM 셀은 제1 풀업 트랜지스터 및 제2 풀업 트랜지스터, 제1 풀업 트랜지스터 및 제2 풀업 트랜지스터와 교차 래치형 인버터를 형성하는 제1 풀다운 트랜지스터 및 제2 풀다운 트랜지스터, 및 제1 풀업 트랜지스터 및 제1 풀다운 트랜지스터의 드레인과 제2 풀업 트랜지스터 및 제2 풀다운 트랜지스터의 드레인에 각각 접속된 제1 패스게이트 트랜지스터 및 제2 패스게이트 트랜지스터를 포함한다. 제1 마스크 층이 유전체 층 위에 형성되고 패터닝된다. 제2 마스크 층이 유전체 층 위에 형성되고 패터닝된다. 제1 마스크 층과 제2 마스크 층을 함께 에칭 마스크로서 사용하여 유전체 층이 에칭되며, 유전체 층에 컨택 개구가 형성된다. 컨택 플러그가 컨택 개구에 형성된다.</p> |
