| 摘要 |
<p>반도체 장치는, 기판의 제1 영역 상에 형성되며 상기 기판으로부터 상방으로 돌출되는 필러 및 상기 필러의 상부에 불순물 영역을 갖는 제1 트랜지스터, 상기 기판의 제2 영역의 표면 상에 형성되는 제2 트랜지스터, 상기 제1 및 제2 영역들에 형성되어 상기 제2 트랜지스터를 덮으며, 상기 제1 영역의 상기 필러의 상부면보다 실질적으로 높은 상부면을 가지고 상기 필러의 상부면을 노출시키는 층간 절연막 패턴, 그리고 상기 필러 상부의 불순물 영역 상에 형성되며 상기 불순물 영역에 전기적으로 연결되는 커패시터를 포함한다.</p> |
