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<p>[과제] 이상 반응이 일어날 가능성을 저감하고, 반도체 집적 회로 장치의 특성 그리고 수율의 유지, 향상을 도모할 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 것. [해결 수단] 피처리 기판 (W) 을 불소를 함유하는 처리 가스를 포함하는 분위기하에서 가스 처리하고, 피처리 기판 (W) 의 표면에 불소를 함유하는 반응 생성물 (312) 을 형성하는 제 1 공정과, 가스 처리 후의 피처리 기판 (W) 을 가열 처리하고, 불소와 반응하는 반응 가스를 포함하는 분위기하에서 가스 처리하는 제 2 공정을 구비한다.</p> |
