| 摘要 |
<p>본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 챔버, 기판 지지 유닛, 플라즈마 발생 유닛, 가스 공급 유닛 및 배기 조절 유닛 등을 포함한다. 가스 공급 유닛에서 공급된 가스 또는 플라즈마 발생 유닛에 의해 여기된 플라즈마를 이용하여 기판 처리 후 챔버 내에 잔류 가스 및 반응 부산물이 발생된다. 가스 배기 조절 유닛은 잔류 가스 및 반응 부산물의 배출양을 조절하여 장치 내부의 가스 또는 플라즈마 등의 잔류시간이나 압력 등을 조절함으로써 기판 처리 공정의 균일도를 제어한다.</p> |
