| 主权项 |
一种形成一键结半导体结构之方法，其包括：提供一底材结构，该底材结构在相对较厚之一底材本体上包含相对较薄之一材料层；形成多个穿透晶圆互连(through wafer interconnect)，使之穿透该底材结构之相对较薄材料层，并形成包含该相对较薄材料层及该多个穿透晶圆互连之一互连层；在该底材结构之相对较薄材料层相反于该相对较厚底材本体之一面，将一第一已处理半导体结构键结在该相对较薄材料层上方，并将该第一已处理半导体结构中至少一个导电部件在电性上与该些穿透晶圆互连中至少一个穿透晶圆互连耦合；在该第一已处理半导体结构相反于该底材结构之一面，将一转移材料层提供于该第一已处理半导体结构上方；在该转移材料层中形成电性互连、光学互连及流体互连其中至少一种；在该转移材料层相反于该第一已处理半导体结构之一面，将一第二已处理半导体结构提供于该转移材料层上方；移除该底材结构之相对较厚底材本体，并留下该底材结构之相对较薄材料层键结至该第一已处理半导体结构；以及
将该些穿透晶圆互连中至少一个穿透晶圆互连在电性上耦合至另一结构之一导电部件。
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