| 主权项 |
一种半导体装置，包括：一基板；复数个鳍板，形成在该基板上，该复数个鳍板之任一鳍板具有一侧壁，该侧壁之一上部实质上正交于与该基板之一主要表面，而该侧壁之一下部系非正交于该基板之该主要表面，且该下部之宽度大于该上部之宽度；源极及汲极区，形成在各该鳍板中；一介电层，形成在该基板上，该介电层具有一第一厚度邻近一第一鳍板的一侧，且具有不同于该第一厚度的一第二厚度邻近该第一鳍板的另一侧，且该介电层至少接触部分该第一鳍板之上部侧壁，并更进一步接触部分该第一鳍板之下部侧壁；以及一连续闸极结构，于该复数个鳍板上，该连续闸极结构邻近各鳍板的一顶表面及至少一鳍板的至少一侧壁。
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