具有单石异质积集化合物半导体与元素半导体的方法与结构

主权项

一种半导体结构，包含：柱状III-V族化合物半导体成长支撑；设置在该化合物半导体成长支撑上的柱状III-V族化合物半导体装置；介电层；具有设置在该介电层上方之CMOS半导体装置的矽层；设置在该介电层及该化合物半导体成长支撑之间的选择蚀刻层；及其中该选择蚀刻层对含氟电浆蚀刻具有比该介电层对该含氟电浆蚀刻之蚀刻率更低的蚀刻率；及其中该选择蚀刻层系氧化铝(Al2O3)、或氮化铝(AlN)，或具有氧化铝(Al2O3)与氮化铝(AlN)组合的复数层。