发明名称 在分立的功率MOS场效电晶体结合感测场效电晶体的元件及方法
摘要
申请公布号 TWI500141 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW100124349 申请日期 2011.07.08
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 苏毅;安荷 叭剌
分类号 H01L27/085 主分类号 H01L27/085
代理机构 代理人 李国光 新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦 新北市中和区中正路928号5楼
主权项 一种半导体元件,其包含:一含有源极、本体和闸极之主场效电晶体;一含有源极、本体和闸极之感测场效电晶体,其中该感测场效电晶体之电晶体部分,被该主场效电晶体之电晶体包围并位于该主场效电晶体之电晶体附近;一位于该半导体元件边缘处之感测场效电晶体源极垫,其中该感测场效电晶体之电晶体部分,与该感测场效电晶体源极垫分开,并且该感测场效电晶体源极垫藉由一感测场效电晶体探针金属,连接到该感测场效电晶体之电晶体部分;以及一电绝缘结构,使该主场效电晶体之源极和本体区与该感测场效电晶体之源极和本体区电绝缘;其中该主场效电晶体、该感测场效电晶体及该电绝缘结构形成在一单独之半导体晶片中,藉由配置一绝缘结构使该感测场效电晶体之电晶体部分及该感测场效电晶体源极垫位于该主场效电晶体的主动区外部;其中该半导体元件系一分立之垂直场效电晶体。
地址 美国