IMPROVED SENSING CIRCUITS FOR USE IN LOW POWER NANOMETER FLASH MEMORY DEVICES,申请号WO2015US15919-传众专利搜索

发明名称	IMPROVED SENSING CIRCUITS FOR USE IN LOW POWER NANOMETER FLASH MEMORY DEVICES
摘要	Improved sensing circuits for use in low power nanometer flash memory devices are disclosed.
申请公布号	WO2015134178(A1)	申请公布日期	2015.09.11
申请号	WO2015US15919	申请日期	2015.02.13
申请人	SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC.	发明人	TRAN, HIEU, VAN;NGUYEN, HUNG, QUOC;LY, ANH;VU, THUAN
分类号	G11C7/06;G11C16/28	主分类号	G11C7/06
代理机构		代理人
主权项
地址