| 发明名称 | 于崩溃时具有减少漏电流之半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI500158 | 申请公布日期 | 2015.09.11 |
| 申请号 | TW102129598 | 申请日期 | 2013.08.19 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈建铨;李明东;黄胤富;连士进;吴锡垣 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/22 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：一基板；一井，位于该基板中；一p井植入，至少部分被该井界限在该基板之内；一导电层，配置在该基板上；一高电压n-(HVN-)掺杂井，被植入在该p井植入中，该HVN-掺杂井延伸进入伏在该导电层之一部分下面的该基板之一部分中；一高电压p掺杂(HVPD)井，被植入在该p井植入中，该HVPD井延伸进入伏在该导电层之另一部分下面的该基板之另一部分中，该HVPD井正好与该HVN-掺杂井相对；以及一汲极n-井，被植入在该HVN-掺杂井中。 | ||
| 地址 | 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||