半导体组件及制造方法

主权项

一种用于制造一半导体组件之方法，该方法包括：提供一半导体材料，该半导体材料具有一第一主表面及一第二主表面；在该半导体材料之一第一区域中形成至少一半导体装置，其中该至少一半导体装置之一第一半导体装置具有一第一电极；在该半导体材料之一第二区域中形成一第一终止沟槽，该第一终止沟槽具有侧壁和一底面；在该第一终止沟槽之一第一部分中形成一第二电极，该第二电极系电耦合至该第一电极且藉由一第一介电材料而与该等侧壁及该底面隔开；在该第二电极及该第一终止沟槽之该等侧壁上形成一第二介电材料；及在该第一终止沟槽之一第二部分中形成一第三电极，该第三电极系藉由该第二介电材料而与该第二电极电绝缘。