发明名称 LIGHT EMITTING DIODE HAVING TRAMSPARENT CONDUCTING LAYER CONTAINING QUANTUN DOTS AND CONDUCTING POLYMER
摘要 <p>본 명세서는 반도체 나노 결정 및 전도성 고분자가 함유된 투명 전극층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 이를 위해, 일 실시예에 따른 반도체 발광 소자는 n형 반도체로 이루어진 제 1 레이어, p형 반도체로 이루어진 제 2 레이어 및 상기 제 1 레이어 및 상기 제 2 레이어의 사이에 형성된 활성층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 발광구조물의 상층부 또는 하층부에 형성되고, 반도체 나노결정 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전극층을 포함할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101552122(B1) 申请公布日期 2015.09.11
申请号 KR20130131672 申请日期 2013.10.31
申请人 发明人
分类号 H01L33/36;H01L33/42 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人
主权项
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