发明名称 半导体制程废水之处理方法
摘要
申请公布号 TWI499562 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW100134476 申请日期 2011.09.23
申请人 金光祖 发明人 金光祖;陈秋美
分类号 C02F9/00;C02F103/34 主分类号 C02F9/00
代理机构 代理人 陈展俊 台北市大安区和平东路2段203号4楼之2
主权项 一种半导体制程废水的处理方法,包含下列步骤:a)将由数股半导体制程废水汇集而成含有氧化剂、有机物杂质及无机物杂质的综合废水进行去氧化剂处理,该综合废水实质上不含NH4OH淋洗废水、TMAH黄光制程废水及NH4F/F-废水;b)以无氧微生物分解方式处理来自步骤a)的氧化剂含量被降低的废水,其中来自步骤a)的氧化剂含量被降低的废水被导入一含有无氧微生物污泥的生物无氧槽并于其中滞留一段时间,使得其中所含的杂质为该无氧微生物污泥所部份分解;及c)以有氧微生物分解方式处理来自步骤b)的杂质含量被降低的废水,使得残留于其中的杂质被进一步分解,而得到一第一回收或排放水,其中步骤c)的有氧微生物分解系于一污泥槽中进行,且该污泥槽后设有污泥截留槽,其中来自步骤b)的杂质含量被降低的废水在该污泥槽及污泥截留槽滞留一段时间,于是废水中的残留杂质在该滞留时间中为该污泥中的微生物所分解,并由该污泥截留槽排出该第一回收或排放水同时将污泥截留于该污泥截留槽内,其中该污泥截留槽内滞留的污泥的一部份被再循环用作为步骤b)的无氧微生物分解方式的无氧微生物污泥的一部份来源。
地址 新竹市武陵路36号11楼之2