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发明名称 半导体液晶制造装置用表面处理构件之制造方法
摘要
申请公布号 TWI499694 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW099100384 申请日期 2010.01.08
申请人 神户制钢所股份有限公司 发明人 和田浩司;坪田隆之;细川护;久本淳
分类号 C25D11/02 主分类号 C25D11/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体液晶制造装置用表面处理构件之制造方法，其是在将铝合金或纯铝作为基材的构件的表面形成阳极氧化覆膜后，浸渍于纯水中而对所述阳极氧化覆膜进行水合处理的半导体液晶制造装置用表面处理构件的制造方法，其特征为：在满足处理温度：80℃~100℃、处理时间(分钟)-1.5×处理温度(℃)+270的条件下实施所述水合处理；在所述水合处理之后，在满足处理温度：120℃~450℃、处理时间(分钟)-0.1×处理温度(℃)+71的条件下实施热处理。
地址 日本
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