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一种半导体覆晶接合结构，包括：一第一半导体元件，具有一金属柱；一第一介金属化合物(Intermetallic Compound,IMC)，直接位于该金属柱上；一第二半导体元件，具有一电性接点；一第二介金属化合物，邻接于该电性接点；及一焊料层，位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间，其中该金属柱之材质系为铜，该第一介金属化合物直接接触该铜金属柱，且该第一介金属化合物之材质与该第二介金属化合物之材质系相同，且其中该第一介金属化合物之材质与该第二介金属化合物之材质皆为(Cu,Ni)6Sn5。 |
