发明名称 SRAM记忆卡及电压监视电路
摘要
申请公布号 TWI500030 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW101122946 申请日期 2012.06.27
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 户本千明;宇治雅晴
分类号 G11C11/4193;H02J7/00 主分类号 G11C11/4193
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种SRAM记忆卡,系可装卸地安装在含有电源之装置,该SRAM记忆卡系具备:介面部,用以在前述SRAM记忆卡安装于前述装置之状态下于前述装置的前述电源导通时,至少从前述装置接收电源电压;保持关连电路,接收电源电压的供给,而进行用以保持资料的动作;接点,用以将产生电源电压的电池电性连接在前述保持关连电路;切换部,以在前述装置的前述电源为导通状态时,前述介面部从前述装置所接收之电源电压被供给至前述保持关连电路,而在前述装置的前述电源为关断状态时,使前述电池所产生之电源电压经由前述接点被供给至前述保持关连电路的方式进行切换;颤振防止电路,含有电容元件,其具有电性电接在前述接点的第1电极、以及电性连接在基准电位的第2电极;监视部,透过前述接点监视前述电池所产生之电源电压,在前述接点的电位低于临限值时对警报信号设定ON值,而在前述接点的电位为前述临限值以上时对前述警报信号设定OFF值,并透过前述介面部向前述装置输出前述警报信号;侦测部,透过前述介面部侦测前述装置的前述电源 之导通/关断状态;以及放电电路,与由前述侦测部所侦测之前述装置的前述电源之导通/关断状态相对应,使储存在前述电容元件的前述第1电极的电荷进行放电。
地址 日本