| 发明名称 |
产生高密度外包层的方法与装置 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI499681 |
申请公布日期 |
2015.09.11 |
| 申请号 |
TW100141391 |
申请日期 |
2011.11.14 |
| 申请人 |
因特瓦克公司 |
发明人 |
哈克尼斯四世 山姆;布拉克 泰瑞;鲁萨克 麦克;传 官 |
| 分类号 |
C23C14/34;C23C16/54 |
主分类号 |
C23C14/34 |
| 代理机构 |
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代理人 |
徐宏昇 台北市中正区忠孝东路1段83号20楼之2;李纪颖 台北市中正区忠孝东路1段83号20楼之2 |
| 主权项 |
一溅射源包括：一含有离子发射孔之真空腔；一第一溅射靶材，提供于该腔体内，并定位使其溅射表面朝向正交于该孔；一第二溅射靶材，提供于该腔体内，并定位使其溅射表面朝向正交于该孔，且面向第一靶材并与其间距d；一电浆电源供应器，用于在该真空腔内，介于第一靶材和第二靶材之间点燃及维持电浆；一第一磁阵列，定位于第一靶材后方，具有多数之磁铁以南磁极指向该第一靶材；一第二磁阵列，定位于第二靶材后方，具有多数之磁铁以北磁极指向该第二靶材；其中该第一及第二磁阵列中之磁铁排列定义一轴高为h，一轴宽为w，使其扁平率(f=(h-w)/h)高于0.65。
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| 地址 |
美国 |
