| 主权项 |
一种基材穿孔结构，包括：一半导体基材，系具有一背面以及贯穿该半导体基材背面的通孔，且该通孔的底部尺寸大于该通孔的开孔处尺寸，以形成一上窄下宽的孔形结构；金属层，配置于该半导体基材上，且显露于该通孔；一第一绝缘层，系形成于该半导体基材之背面，该第一绝缘层具有与该通孔相连通之开口，且该第一绝缘层未遮盖该通孔之开口处；以及一第二绝缘层，系形成于该第一绝缘层上，且部分该第二绝缘层延伸至该开口之壁面上以及该通孔之壁面上，以形成一沟槽绝缘层，该沟槽绝缘层经回蚀而于该通孔与该金属层所形成的转角处形成底脚，且该底脚之高度小于该第一绝缘层以及该第二绝缘层之高度和。
|
