半导体基底之制造方法

主权项

一种制造SOI基底的方法，包含：备置包括脆化区域的半导体基底；在该半导体基底上方形成氧化物绝缘层；将该半导体基底及支撑基底接合，其之间夹置该氧化物绝缘层；在该脆化区域断开该半导体基底，使半导体层设置在该支撑基底上，其之间夹置该氧化物绝缘层；以第一雷射光照射该半导体层的边缘部分，以在该半导体层的该边缘部分中形成多晶半导体区域；及在该第一雷射光照射该半导体层的该边缘部分之后，移除在该半导体层的一表面上方的氧化物层。