发明名称 切割具有矽穿通道之半导体晶圆之方法及其所形成之结构
摘要
申请公布号 TWI500078 申请公布日期 2015.09.11
申请号 TW102132517 申请日期 2013.09.10
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 花霈馨;张惠珊
分类号 H01L21/304;H01L21/768 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13
主权项 一种半导体元件,包括:一晶粒;至少一导电通道(Conductive Via),形成于该晶粒中;一钝化层(Passivation Layer),位于该晶粒之一背面之一部分,其中该导电通道凸出于该钝化层;及一保护盖(Protection Cap),位于该导电通道之凸出端;其中该钝化层具有一侧面,该侧面与该晶粒之该背面之一显露部份间之夹角大于90度,该显露部份系未被该钝化层所覆盖。
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号