发明名称 |
切割具有矽穿通道之半导体晶圆之方法及其所形成之结构 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI500078 |
申请公布日期 |
2015.09.11 |
申请号 |
TW102132517 |
申请日期 |
2013.09.10 |
申请人 |
日月光半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
花霈馨;张惠珊 |
分类号 |
H01L21/304;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡东贤 台北市松山区敦化北路201号7楼;林志育 高雄市前镇区复兴四路12号9楼之13 |
主权项 |
一种半导体元件,包括:一晶粒;至少一导电通道(Conductive Via),形成于该晶粒中;一钝化层(Passivation Layer),位于该晶粒之一背面之一部分,其中该导电通道凸出于该钝化层;及一保护盖(Protection Cap),位于该导电通道之凸出端;其中该钝化层具有一侧面,该侧面与该晶粒之该背面之一显露部份间之夹角大于90度,该显露部份系未被该钝化层所覆盖。
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地址 |
高雄市楠梓加工区经三路26号 |