| 主权项 |
一种用于处理及/或回收切割浆料之方法，该切割浆料含有由至少部分区域具有表面氧化膜之半导体材料所制成之颗粒以及亦含有碳化矽及/或钻石微粒，其中(a)在第一步骤中，于温度低于半导体材料之熔点进行浆料处理，以及(b)在第二步骤中，以于或高于半导体材料熔点之温度处理获得自第一步骤之产物，获得半导体材料之熔体，以及(c)接着，冷却该熔体直至固化或至少一部分熔融态内半导体材料之熔体被分离；至少于第一步骤过程中将该浆料导入一气体流，及/或流经及/或被气体所包围，其特征在于熔体固化后以机械或湿式化学蚀刻法分离该固化熔体之边缘区域。 |
