| 发明名称 | 半导体装置之制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI500084 | 申请公布日期 | 2015.09.11 |
| 申请号 | TW101132433 | 申请日期 | 2012.09.06 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 秋山浩二;东岛裕和;田村知大;青山真太郎 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 代理人 | 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼 | |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其包含以下工序：第1成膜工序，系于被处理体上成膜第1高介电率绝缘膜；结晶化热处理工序，系在650℃以上且未达60秒之间热处理该第1高介电率绝缘膜；以及第2成膜工序，系于该第1高介电率绝缘膜上成膜第2高介电率绝缘膜，该第2高介电率绝缘膜系具有离子半径小于该第1高介电率绝缘膜之金属元素的离子半径之金属元素，且比介电率系大于该第1高介电率绝缘膜；该第1高介电率绝缘膜为氧化铪膜、氧化锆膜、氧化锆铪膜或该等膜的层积膜；该第2高介电率绝缘膜为氧化钛膜、三氧化钨膜或钛酸盐膜。 | ||
| 地址 | 日本 | ||