| 发明名称 |
单结晶碳化矽液相磊晶成长用晶种料及单结晶碳化矽之液相磊晶成长方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI499698 |
申请公布日期 |
2015.09.11 |
| 申请号 |
TW100132546 |
申请日期 |
2011.09.09 |
| 申请人 |
东洋炭素股份有限公司 |
发明人 |
鸟见聪;野上晓;松本强资 |
| 分类号 |
C30B29/36;C30B19/04 |
主分类号 |
C30B29/36 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种单结晶碳化矽液相磊晶成长用晶种料，系使用于单结晶碳化矽之液相磊晶成长方法的晶种料，其系具有含有结晶多形为3C的多结晶碳化矽之表层，且藉由激发波长设定在532nm之拉曼分光解析，前述表层的作为源自结晶多形为3C的多结晶碳化矽之波峰，可以观察到T0波峰及L0波峰以外之波峰。
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| 地址 |
日本 |
