| 摘要 |
本発明は、薄膜トランジスタ、アレイ基板及びその製造方法を提供する。前記製造方法は、基板上にバッファ層及び活性層を順に形成し、パターニング工程によってソース領域を形成するステップと、ゲート絶縁層及びゲート電極を順に形成し、Ｎｉ堆積ウィンドを形成するステップと、Ｎｉ堆積ウィンドと１つずつ対応するソース・ドレインコンタクトホールを有する誘電体層を形成するステップと、ソース・ドレインコンタクトホールを介してＮｉ堆積ウィンド及びソース領域に接続するソース・ドレイン電極を形成するステップと、を備える。 |
