| 摘要 |
<p>多層基板構造が、基板と、前記基板上に形成された熱整合層と、前記熱整合層上の格子整合層とを含む。前記熱整合層は、モリブデン、モリブデン銅、ムライト、サファイア、グラファイト、酸窒化アルミニウム、ケイ素、炭化ケイ素、酸化亜鉛、および希土類酸化物のうちの少なくとも１つを含む。前記格子整合層は、合金を形成するための第１の化学元素と第２の化学元素とを含む。前記第１および第２の化学元素は、同様の結晶構造と化学的特性を有する。前記熱整合層の熱膨張係数と前記格子整合層の格子パラメータは、どちらもＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の構成元素のそれぞれに等しい。前記格子整合層の格子定数は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の構成元素のそれに等しい。前記格子整合層および前記熱整合層は、格子制御シャッタを使用して基板上に堆積される。【選択図】図５</p> |
