Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Isolierfilm (2) wird auf einer Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats (1) ausgebildet, das einen aktiven Bereich und einen Abschlussbereich enthält. Der Isolierfilm (2) im aktiven Bereich wird geätzt, um eine Öffnung (3) auszubilden. Der Isolierfilm (2) wird als Maske benutzt und eine Störstelle wird in das Halbleitersubstrat (1) in einer um 20° oder mehr zu einer Richtung senkrecht auf die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (1) geneigten Richtung implantiert, während das Halbleitersubstrat (1) gedreht wird, um im aktiven Bereich eine Diffusionsschicht (7) auszubilden. Die Diffusionsschicht (7) erstreckt sich auf der Seite des Abschlussbereichs weiter als die Öffnung (3) bis unter den Isolierfilm (2).