| 摘要 |
1. Способ получения термоэлектрических материалов, заключающийся в предварительной очистке исходных компонентов методом вакуумной дистилляции, синтезе исходных компонентов в вакуумированных ампулах при нагреве до плавления и охлаждении, выращивании кристаллов методом вертикальной зонной перекристаллизации с применением высокочастотного нагрева, отличающийся тем, что выращивание кристаллов осуществляют путем не менее двух проходов со скоростью не более 2,5-3 см/ч, а после выращивания кристаллов осуществляют приготовление порошка с наноструктурой размером не более 200 нм, обеспечивающей анизотропию свойств каждой частицы, брикетирование, спекание, а затем горячую экструзию.2. Способ получения термоэлектрических материалов по п.1, отличающийся тем, что выращивание кристаллов осуществляют одновременно в 6-10 ампулах длиной до 1 м.3. Способ получения термоэлектрических материалов по п.1, отличающийся тем, что спекание производят в вакуумной печи в течении суток при температуре не менее 450°C.4. Способ получения термоэлектрических материалов по п.1, отличающийся тем, что после экструзии осуществляют резку образцов механическим способом и выполняют комплексные измерения. |
