发明名称 オプトエレクトロニクス半導体モジュール
摘要 オプトエレクトロニクス半導体モジュールはオプトエレクトロニクス半導体チップを含んでおり、このオプトエレクトロニクス半導体チップは、上面及び下面を備えている電気絶縁性の成形体に埋設されている。更に成形体にはスルーコンタクトが埋設されており、このスルーコンタクトは成形体の上面と下面との間の導電性の接続部を形成している。成形体の上面には反射性の層が形成されており、この反射性の層は半導体チップの電気的なコンタクトとスルーコンタクトとの間の導電性の接続部を形成している。反射性の層は成形体の上面の少なくとも50%を覆っている。
申请公布号 JP2015526909(A) 申请公布日期 2015.09.10
申请号 JP20150529003 申请日期 2013.08.28
申请人 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 发明人 シュテファン イレク;マティアス ザバティール;トーマス シュヴァーツ;ヴァルター ヴェークライター
分类号 H01L33/54;H01L33/56;H01L33/62 主分类号 H01L33/54
代理机构 代理人
主权项
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