Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe

摘要

Ausführungsbeispiele der Erfindungen sind im Allgemeinen auf die Integration von Signalabtastung innerhalb einer Transistorverstärkerstufe gerichtet. Eine Ausführung einer Vorrichtung weist eine Verstärkerstufe mit einem Transistor zum Empfangen eines Quellsignals und Erzeugen eines Ausgangssignals auf, wobei der Transistor eine Vielzahl von Fingern für mindestens eine erste Elektrode des Transistors aufweist. Die Verstärkerstufe benutzt Verbindungen zu einigen der Finger der ersten Elektrode für die Erzeugung des Ausgangssignals und benutzt einen oder mehrere andere Finger für die erste Elektrode des Transistors für eine von der Erzeugung des Ausgangssignals gesonderte Funktion.