| 摘要 |
<p>Ausführungsformen stellen einen Schaltkreis mit einem Transistor und einer Vorspannungsschaltung bereit. Der Transistor kann angesprochen durch ein an einem Steueranschluss empfangenes Steuersignal von einem Aus-Zustand zu einem An-Zustand übergehen. Die Vorspannungsschaltung kann zwischen dem Steueranschluss und einem Gate-Anschluss des Transistors geschalten sein. Die Vorspannungsschaltung kann einen zwischen dem Gate-Anschluss und dem Steueranschluss gekoppelten Gate-Widerstand aufweisen. Die Vorspannungsschaltung kann weiter eine oder mehrere Dioden aufweisen, welche zwischen dem Gate-Anschluss und dem Steueranschluss parallel zum Gate-Widerstand geschaltet sind, um es Leckstrom zu erlauben, vom Gate-Anschluss durch die eine oder die mehreren Dioden hindurchzufließen. In manchen Ausführungsformen kann die Vorspannungsschaltung einen mit der einen oder den mehreren Dioden gekoppelten Schalter aufweisen um selektiv die eine oder die mehreren Dioden parallel zum Gate-Widerstand zu schalten, wenn der Transistor aus ist.</p> |
