| 摘要 |
<p>本発明は、物体（３）をプラズマ処理するためのシステム（１）に関するものであり、当該システムは、処理すべき物体が配置されるような支持体を含む真空処理チャンバ（１０）と、少なくとも２つのサブアセンブリ（２２、２１）であって、各サブアセンブリは、プラズマを生成するのに適した少なくとも１つのプラズマ源（２１０，２２０）を有しており、各プラズマ源には、高周波電力Ｐｉ及び流量ｎｉのガスｉが独立して供給される、サブアセンブリとを有する。本発明によれば、サブアセンブリの一方（２１）によって生成されるプラズマは、他方のサブアセンブリ又はサブアセンブリ（２２）によって生成されたプラズマとは異なる化学的性質の、部分的にイオン化されたガス又は混合ガスである。本発明は、このような装置を実現する複合物体の選択処理プロセスに関する。</p> |
