| 摘要 |
本発明は、１つの工程空間内で薄膜蒸着工程と薄膜の表面処理工程を順次または反復的に行うことができるようにした基板処理装置及び基板処理方法に係り、本発明に係る基板処理装置は、工程空間を提供する工程チャンバと、前記工程チャンバの内部に設置されて少なくとも１つの基板を支持し、支持された基板を所定の方向に移動させる基板支持部と、前記基板支持部に対向するように前記工程チャンバの上部を覆うチャンバリッドと、前記基板支持部に対向するように前記チャンバリッドに設置され、前記基板に薄膜を蒸着するための工程ガスと前記薄膜の表面処理のための表面処理ガスとを空間的に分離して前記基板支持部上に局部的に噴射するガス噴射部とを含んで構成されることを特徴とする。 |
