Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats

摘要

Verfahren zum Herstellen eines mikroelektromechanischen Systems mit folgenden Merkmalen: Bereitstellen eines dotierten Halbleitersubstrats mit einer ersten Oberfläche und einer der ersten Oberfläche gegenüber liegenden zweiten Oberfläche; Durchführen eines Lithographieprozesses und einer anschließenden Implantation zur Herstellung eines umdotierten Bereichs innerhalb des dotierten Halbleitersubstrats, wobei ein pn-Übergang bei einer Tiefe innerhalb des Halbleitersubstrats gebildet wird, wobei die Tiefe des pn-Übergangs eine gewünschte Tiefe eines Bodens zumindest einer zu bildenden Kavität bestimmt; Durchführen eines Strukturierungsprozesses zur Herstellung von mikroelektromechanischen Strukturen in dem Halbleitersubstrat und an der zweiten Oberfläche, wobei zumindest ein Teil der vorgesehenen mikroelektromechanischen Strukturen sich in den umdotierten Bereich erstreckt; Trockenätzen des Halbleitersubstrats von der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort, um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten, wobei das Trockenätzen gestoppt wird, bevor die gewünschte Tiefe der Kavität erreicht wird; Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden elektrochemischen Ätzprozesses an der ersten Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität; Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen; und elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität bis zu dem pn-Übergang, so dass dieser als elektrochemischer Ätzstopp den Boden der zumindest einen Kavität bildet, so dass die zumindest eine Kavität an den Teil der mikroelektromechanischen Strukturen angrenzt, der sich in den umdotierten Bereich erstreckt.