发明名称 一种霍尔盘仿真模型
摘要 本申请公开了一种霍尔盘仿真模型,包括四个霍尔盘电阻、四个用于模拟霍尔电压的霍尔电压源和四个用于模拟失调电压的失调电压源;四个霍尔盘电阻依次首尾相接构成电阻桥,电阻桥的每个接点上串联有一个霍尔电压源和一个失调电压源;任一时刻,有且仅有两个不相邻接点上串接的失调电压源的电压为0.5*V<sub>OS</sub>、霍尔电压源的电压为0.5SIV(MF),其中,I为产生霍尔效应所需的电流,V(MF)为与产生霍尔效应所需的磁场信号B相对应的等效电压信号。本申请通过在两个输出端分别设置失调电压源,并使其总输出电压为被模拟的霍尔盘的失调电压V<sub>OS</sub>,实现了对霍尔盘失调电压的模拟仿真,进而可获得霍尔盘的失调特性,解决了现有技术问题。
申请公布号 CN103278788B 申请公布日期 2015.09.09
申请号 CN201310148379.6 申请日期 2013.04.25
申请人 北京经纬恒润科技有限公司 发明人 杨森林;单闯;闫琳静;刘菁
分类号 G01R35/00(2006.01)I 主分类号 G01R35/00(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 王宝筠
主权项 一种霍尔盘仿真模型,其特征在于,包括四个霍尔盘电阻、四个用于模拟霍尔电压的霍尔电压源和四个用于模拟失调电压的失调电压源;所述四个霍尔盘电阻依次首尾相接构成电阻桥,所述电阻桥的每个接点上串联连接有一个所述霍尔电压源和一个所述失调电压源;任一时刻,有且仅有两个不相邻的接点上串接的失调电压源的电压为0.5*V<sub>OS</sub>、霍尔电压源的电压为0.5SIV(MF),另外两个接点上串接的失调电压源和霍尔电压源的电压均为零;其中,V<sub>OS</sub>为霍尔盘的失调电压,S为霍尔盘的电流灵敏度,I为流过所述失调电压源电压为零的两个接点的电流,V(MF)为等效电压信号,所述V(MF)的大小根据产生所述霍尔电压所需的磁场信号B的大小以及所述等效电压信号和磁场信号的预设对应关系确定。
地址 100101 北京市朝阳区安翔北里11号B座8层