发明名称 |
制造半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明涉及制造半导体器件的方法,其一个实施方式包括:在载体上配置晶片,该晶片包括单独的芯片;将单独的芯片结合到支撑晶片上并去除载体。 |
申请公布号 |
CN102810490B |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201210177527.2 |
申请日期 |
2012.05.31 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
邢智蛘;乌尔里希·克鲁姆贝因;斯特凡·马滕斯;施明计;维尔纳·西姆比埃格;霍斯特·托伊斯;赫尔穆特·维奇尔克 |
分类号 |
H01L21/603(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/603(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在载体上配置晶片,所述晶片包括单独的芯片;将所述单独的芯片结合到支撑晶片;以及去除所述载体,其中,所述单独的芯片通过间隔体彼此隔开,并且其中,在所述载体上配置所述晶片包括在所述载体上经由胶带放置所述晶片,并且,去除所述载体包括通过热能或光能处理所述胶带以彼此不同地改变所述胶带的在芯片接触区域的粘附性与在间隔体接触区的粘附性。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格 |