| 发明名称 | 一种改善铝锗共晶键合工艺的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。附加铝金属层的厚度≤<img file="DDA0000701527910000011.GIF" wi="131" he="76" />对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压时的温度为435℃，压力为30KN。 | ||
| 申请公布号 | CN104891429A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510189305.6 | 申请日期 | 2015.04.17 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黄锦才;刘玮荪 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，其特征在于包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||