| 发明名称 | Bi<sub>x</sub>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1-x</sub>Ti<sub>1-x</sub>Me<sub>x</sub>O<sub>3</sub>无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及Bi<i><sub>x</sub></i>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1-<i>x</i></sub>Ti<sub>1-<i>x</i></sub>Me<i><sub>x</sub></i>O<sub>3</sub>无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法，其中，Me为Al<sup>3+</sup>、Co<sup>3+</sup>、Cr<sup>3+</sup>、(Zn<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>、(Mg<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>、(Ni<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>中的一种，且0.1≤<i>x</i>≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bi<i><sub>x</sub></i>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1-<i>x</i></sub>Ti<sub>1-<i>x</i></sub>Me<i><sub>x</sub></i>O<sub>3</sub>粉体，然后采用两步烧结技术制备Bi<i><sub>x</sub></i>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1-<i>x</i></sub>Ti<sub>1-<i>x</i></sub>Me<i><sub>x</sub></i>O<sub>3</sub>无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8 J/cm<sup>3</sup>，储能密度大小基于成分和工艺可调。 | ||
| 申请公布号 | CN104891986A | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201510245228.1 | 申请日期 | 2015.05.14 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | 发明人 | 袁昌来;周星星;冯琴;刘笑;周昌荣;杨涛;许积文;黎清宁;陈国华 |
| 分类号 | C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/462(2006.01)I |
| 代理机构 | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人 | 罗玉荣 |
| 主权项 | Bi<i><sub>x</sub></i>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1‑<i>x</i></sub>Ti<sub>1‑<i>x</i></sub>Me<i><sub>x</sub></i>O<sub>3</sub>无铅反铁电高储能密度陶瓷，其特征是：其组成通式为Bi<i><sub>x</sub></i>(Bi<sub>0.5</sub>Na<sub>0.4</sub>K<sub>0.1</sub>)<sub>1‑<i>x</i></sub>Ti<sub>1‑<i>x</i></sub>Me<i><sub>x</sub></i>O<sub>3</sub>，其中：0.1≤<i>x</i>≤0.3，Me为Al<sup>3+</sup>、Co<sup>3+</sup>、Cr<sup>3+</sup>、(Zn<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>、(Mg<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>、(Ni<sub>0.5</sub>Ti<sub>0.5</sub>)<sup>3+</sup>中的一种。 | ||
| 地址 | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 | ||