发明名称 |
一种纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法:采用热丝化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜;采用离子注入方法,在纳米金刚石薄膜中注入氧离子,所述氧离子的注入剂量为10<sup>11</sup>~10<sup>13</sup>cm<sup>-2</sup>、注入能量为90~100keV;将离子注入后的薄膜进行有限氧化退火:在4000Pa的压力下、800~1000℃的温度下退火30分钟,即得所述纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。本发明所得纳米金刚石晶粒尺寸为3~6nm,晶界中产生石墨烯纳米带,得到纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。该薄膜对实现金刚石和石墨烯在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。 |
申请公布号 |
CN104894526A |
申请公布日期 |
2015.09.09 |
申请号 |
CN201510219725.4 |
申请日期 |
2015.04.30 |
申请人 |
浙江工业大学 |
发明人 |
胡晓君;陈成克 |
分类号 |
C23C14/48(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C23C14/48(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天正专利事务所有限公司 33201 |
代理人 |
黄美娟;王晓普 |
主权项 |
一种纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:(1)采用热丝化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜;(2)采用离子注入方法,在步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜中注入氧离子,得到离子注入后的薄膜;所述氧离子的注入剂量为10<sup>11</sup>~10<sup>13</sup>cm<sup>‑2</sup>、注入能量为90~100keV;(3)将步骤(2)得到的离子注入后的薄膜进行有限热氧化退火,所述有限热氧化退火是在4000Pa的压力下、800~1000℃的温度下退火30分钟,即得所述纳米金刚石‑石墨烯纳米带复合薄膜。 |
地址 |
310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号 |