TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构

摘要

本发明提供一种TFT基板结构的制作方法及TFT基板结构。本发明的TFT基板结构的制作方法，在制作栅极时通过调整蚀刻的参数，使栅极两侧形成斜面，并以栅极作为光罩，对多晶硅层进行离子注入，同时在多晶硅层形成n型重掺杂区和n型轻掺杂区，增加了阻值，分散了电极附近的强电场，避免了因局部强电场的存在而发生的热载流子效应对器件特性造成的影响，节省了单独形成n型轻掺杂区的制程，提升了生成效率，降低了生产成本。本发明的TFT基板结构，多晶硅层包括位于两侧的n型重掺杂区及位于多晶硅层的沟道区与n型重掺杂区之间的n型轻掺杂区，避免了局部强电场的产生，消除了热载流子对器件特性的影响。

主权项

一种TFT基板结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积多晶硅层(3)，并在所述多晶硅层(3)上沉积栅极绝缘层(4)；步骤3、在所述栅极绝缘层(4)上沉积金属层，并对所述金属层进行图案化处理，形成对应于所述多晶硅层(3)中部的栅极(5)；所述栅极(5)为梯形体结构，包括上底面(51)、下底面(52)、连接于所述上底面(51)与下底面(52)之间且相对设置的第一斜面(53)与第二斜面(54)；所述上底面(51)的面积小于所述下底面(52)的面积；步骤4、以所述栅极(5)为光罩，采用离子注入工艺对所述多晶硅层(3)进行n型掺杂，在所述多晶硅层(3)两侧没有被栅极(5)覆盖的区域形成n型重掺杂区(31)，在所述多晶硅层(3)上对应于所述栅极(5)的第一斜面(53)、第二斜面(54)的区域形成第一n型轻掺杂区(32)、第二n型轻掺杂区(33)，在所述多晶硅层(3)中部对应于所述栅极(5)的上底面(51)的区域形成未掺杂的沟道区(34)。