晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺

摘要

本发明公开了一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水槽清洗；7）采用HF溶液去除硅片正面PSG层；8）水槽清洗；9）吹干；本发明对电池的效率和稳定性有较大保障、不易形成“刻蚀印”而影响电池外观，不破坏p-n结、节省酸耗量、背抛效果好、正面无酸腐蚀、有利于弱光效应、漏电比例低、不造成方阻提升。

主权项

一种晶硅电池的碱式刻蚀背抛工艺，其特征在于：包括以下具体步骤：1）将水喷在硅片正面以保护硅片正面PSG层；2）利用HF溶液将硅片背面PSG层去除；3）水槽清洗硅片上的残余酸；4）将硅片表面吹干；5）将硅片传送入浸泡式碱槽中采用弱碱进行硅片背面腐蚀；6）水槽清洗硅片上的残余碱；7）采用HF溶液去除硅片正面PSG层；8）水槽清洗硅片上的残余酸；9）吹干。