用于氮化镓垂直晶体管的方法和系统

摘要

一种垂直JFET包括：包含JFET的漏极的GaN衬底和耦接到GaN衬底的多个图案化外延层。远端外延层包括源极沟道的第一部分，并且相邻的图案化外延层被具有预定距离的间隙隔开。垂直JFET还包括耦接到远端外延层并且设置在所述间隙的至少一部分中的多个再生长外延层。近端再生长外延层包括源极沟道的第二部分。垂直JFET还包括穿过远端外延层的部分并且与源极沟道电接触的源极接触部；与远端再生长外延层电接触的栅极接触部；以及与GaN衬底电接触的漏极接触部。

主权项

一种制造垂直JFET的方法，所述方法包括：提供第III族氮化物外延结构，其包括：第III族氮化物衬底；以及耦接到所述第III族氮化物衬底的多个外延层；移除所述多个外延层的一部分以形成向所述多个外延层中延伸预定距离的一组凹部，其中所述一组凹部设置在所述多个外延层的剩余部分之间；再生长耦接至所述多个外延层的剩余部分和所述多个外延层中之一的至少一部分的多个再生长外延层，其中所述多个再生长外延层中之一电耦接到所述多个外延层中之一；移除所述多个再生长外延层的一部分以露出所述多个外延层中之一的一部分；形成电耦接到所述多个外延层中之一的源极接触部；形成电耦接到所述多个外延层中的另一个的栅极接触部；以及形成电耦接到所述第III族氮化物衬底的漏极接触部。