| 发明名称 | 一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种低应力硅化合物超厚膜材料、制备方法及用途。所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，膜应力低于100MPa。将处理好的衬底放入高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，抽真空后加热衬底，供给气源并增加功率，在一定气压下使腔体内混合气体产生等离子体，沉积到衬底表面。所述超厚膜材料具有良好的绝缘性、稳定性和机械特性，可以作为绝缘层、保护膜或光学膜，广泛应用于半导体、微波、光电子以及光学器件等领域，有助于微纳器件研究领域的商业化，有着明显的应用前景和潜在的经济效益。 | ||
| 申请公布号 | CN103484833B | 申请公布日期 | 2015.09.09 |
| 申请号 | CN201310451286.0 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 宋志伟;褚卫国 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人 | 巩克栋 |
| 主权项 | 一种低应力硅化合物超厚膜材料，其特征在于，所述超厚膜材料的厚度为28μm以上，薄膜应力低于100MPa；所述超厚膜材料的组分为SiO<sub>x</sub>或SiN<sub>y</sub>，其中1≤x≤2、1≤y≤2。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条11号 | ||