半导体发光元件

摘要

本发明提供一种半导体发光元件，具备：基板(10)；形成在基板上的第一包覆层(11)；形成在第一包覆层上的第一引导层(12)；形成在第一引导层上的活性层(13)；形成在活性层上的第二引导层(14)；形成在第二引导层上的接触层(16)；形成在接触层上的由导电性金属氧化物构成的包覆电极(22)；和与包覆电极电连接的焊盘电极(23)，该半导体发光元件具有包含接触层的台面型构造(20)。包覆电极的宽度比台面型构造的宽度大。包覆电极覆盖台面型构造的上表面以及侧面并且与接触层电连接。

主权项

一种半导体发光元件，具备：基板；第一包覆层，其形成在所述基板上；第一引导层，其形成在所述第一包覆层上；活性层，其形成在所述第一引导层上；第二引导层，其形成在所述活性层上；接触层，其形成在所述第二引导层的上方；包覆电极，其形成在所述接触层上，由导电性金属氧化物构成；和焊盘电极，其与所述包覆电极电连接，所述半导体发光元件具有包含所述接触层的条状的台面型构造，所述包覆电极的宽度比所述台面型构造的宽度大，所述包覆电极覆盖所述台面型构造的上表面以及侧面，并且与所述接触层电连接。